量子ドット発光ダイオード（Quantum dot light-emitting diodes、QLEDs）は、高い色純度、広い色域、溶液加工適合性などの利点を持ち、次世代の高解像度表示技術の重要な発展方向とされています。しかし、量子ドット（Quantum dots、QDs）の光学性能を損なわずに高解像度パターン形成を実現することは、実用化への重要な技術的課題です。本論文では、高解像度QLEDs製造におけるパターン形成の課題に対し、ナノインプリントと熱制御転写に基づく新しいパターン形成プロセスを提案します。本手法はシリコン型を用いてポリビニルブチラール（PVB）表面にハニカム状の微細構造を形成し、溶液の濡れ性により量子ドットの選択的充填を制御し、熱制御転写プロセスを経て、特徴寸法1.5 µm、解像度9,072ピクセル毎インチ（PPI）の高い均一性を持つ量子ドットアレイを作製可能です。さらに高解像度の型を用いることで最大25,400 PPIのピクセル密度を持つ量子ドットアレイの作製にも成功しました。さらに、空孔輸送層（Hole transport layer、HTL）上に量子ドットアレイを形成することで、最大外部量子効率（EQE）10.91%、最大輝度164,421 cd/m²を達成した高解像度赤色QLEDデバイス（9,072 PPI）の作製に成功しました。本研究は、高解像度QLEDsの製造における安定的かつ再現可能な新たなパターン形成手法を提供します。

量子ドット発光ダイオード（QLEDs）；高解像度；ナノインプリント；熱制御転写