二重上準位-対角遷移設計に基づく非常に長波長量子カスケードレーザー

CHEN Jiagang ,  

NIU Shan ,  

SUN Yongqiang ,  

YAO Jinlin ,  

ZHANG Yijing ,  

MA Yuanhao ,  

CHENG Fengmin ,  

ZHAI Shenqiang ,  

JIA Zhiwei ,  

ZHANG Jinchuan ,  

摘要

二重上準位-対角遷移に基づくアクティブ領域設計の格子整合型InAlAs/InGaAs/InP量子カスケードレーザーについて報告する。本装置は非常に長波長領域(≥14μm)で動作し、高出力を実現するとともに、高デューティ比条件下でも安定動作が可能である。パルス動作モードにおいて、本装置の最大ピーク出力は1.5Wに達し、片面平均出力は90mWである。さらに、スペクトル性能をさらに拡張するために、本論文では外部共振器構造に基づくチューニング機構を検討し、13.18~14.03µmの連続チューニング出力を実現し、この範囲内での最大平均出力は3.43mWである。これらの性能は、本レーザーが非常に長波長赤外線帯域における多成分ガスセンシング分野で顕著な応用可能性を持つことを示している。

关键词

量子カスケードレーザー;非常に長波長;二重上準位;対角遷移;広帯域チューニング;高出力

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