大面積ペロブスカイト太陽電池モジュールの性能試験の不安定性は、内部界面における電荷分布と輸送の準安定状態に起因します。本研究では、正方向バイアスによる電気活性化を用いてこの準安定状態を制御し、現場での電気発光イメージングにより空間的非均一性の進化機構を明らかにしました。研究の結果、10Vのバイアスを印加することで30分以内に安定かつ効率的な活性化（効率が99％まで回復）が実現され、その本質は電荷抽出の最適化と直列抵抗の低減により、充填因子と開放電圧が同期して向上し、モジュールの発光の均一性が著しく改善されることにあります。しかし、あまりにも高いバイアス（≥12.5V）は局所的な熱蓄積を引き起こし、ペロブスカイト材料や界面に不可逆的な損傷をもたらし、電気発光画像では正極側からの暗斑として現れます。本研究は光電子の生成・再結合・輸送の結合関係から電気活性化の最適化経路と劣化閾値を明確にし、ペロブスカイトモジュールの信頼性のある試験と性能制御に理論的かつ実用的な価値を提供します。

ペロブスカイト太陽電池モジュール; 電気活性化; 電気発光; 温度効果; 電気性能の安定性