高輝度エッジエミッション半導体レーザーは、高い電気光変換効率、高いビーム品質、高いピークパワーなどの利点を持ち、材料加工、医療、レーザーレーダーなどの分野で広く応用されています。しかし、高出力と高ビーム品質を兼ね備えたエッジエミッションレーザーの実現には課題があり、これは高輝度エッジエミッション半導体レーザーの研究焦点となっています。本稿ではまず、近年の国内外における高出力・高ビーム品質エッジエミッションレーザーの研究進展をまとめ、レーザーの側方モード制御および垂直遠方界発散角最適化手法を整理しました。次に、パルス駆動技術を紹介し、これにより活性領域の熱蓄積が改善され、高ピークパワーを獲得し、高輝度出力を実現しています。多活性領域トンネル接合レーザーのピークパワーは100Wで輝度が300 MW·cm^-2·sr^-1に達し、高輝度垂直ブロードエリアエッジエミッシブ（HiBBEE）は垂直遠方界発散角を低減し、光学系の結合効率をさらに向上させ、コリメートおよび集光レンズのコストを低減します。最後に、駆動技術と高輝度レーザーの発展状況および将来のニーズを踏まえ、高性能パルス駆動高輝度半導体レーザーの実現について展望します。

半導体レーザー;高出力;高ビーム品質;高輝度;パルス駆動