摘要
高出力半導体レーザーは、固体および光ファイバーレーザーシステムのコアポンプ源として、産業加工や防衛などの分野で重要な応用価値があります。本稿では、中赤外光ファイバーレーザーシステムを満たすためのポンプレーザーについて報告します。光ファイバーレーザーのポンプ源として、機器は高出力、高効率、そして良好な寿命と信頼性を備える必要があります。本稿では、高準位のInGaAs/GaAsP量子井戸材料を用いてキャリア閉じ込め能力を向上させ、非対称導波路構造を設計し、グラデーションドーピング技術を採用してキャリア吸収損失と直列抵抗を低減しました。最終的に製造した200 μmリッジ幅の単一管レーザーは出力16.12 W、最大変換効率53％を達成しました。10本の単一管で製造したレーザーモジュールを105 μm 0.18 NA光ファイバーに結合し、最大出力113 Wを得ました。試験結果は、レーザーが高い出力および温度安定性を持ち、レーザーの信頼性向上に寄与することを示しています。
关键词
半導体レーザー;高出力;変換効率;信頼性
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