摘要
標準のレート方程式に基づいて、InGaN/GaN単一量子井戸発光ダイオードの回路モデルが提案された。このモデルは、2つのレート方程式により隔離制限ヘテロ接合および量子井戸内のキャリア輸送過程をそれぞれ記述し、3つ目のレート方程式は量子井戸内の光子の動的特性を記述する。構築したモデルを用いて、量子井戸の厚さがデバイスの静的および動的特性に及ぼす影響を体系的に研究した。シミュレーション結果は、4 nmの量子井戸幅を持つLEDがより優れた光出力-電流特性を示し、3 nmの量子井戸幅を持つLEDはより広い3 dB変調帯域幅を有することを示しており、量子井戸内の高キャリア密度は静的性能には不利であるが、動的性能を効果的に向上させることを同時に示している。
关键词
単一量子井戸;レート方程式;回路モデル;光出力-電流特性;変調帯域幅
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