量子ドット発光ダイオード（QLED）は次世代ディスプレイ技術の重要な発展方向であり、その電子輸送層（ETL）には通常酸化亜鉛（ZnO）材料が用いられます。しかし、ZnOの過度に高い電子移動度は発光層（EML）内のキャリア注入の不均衡を招き、表面の酸素空孔などの欠陥が非放射再結合を引き起こします。本研究では、代表的な二次元材料である六方窒化ホウ素（h-BN）を創造的に導入し、EMLとZnOの界面間に電子遮断層を構築しました。実験結果は、h-BNの導入がデバイス内部のキャリアバランスを効果的に改善し、ZnOの欠陥による発光消光を顕著に抑制することを示しました。h-BN界面改質後、QLEDデバイスの外部量子効率（EQE）と電流効率（CE）はそれぞれ17.31%および18.80 cd/Aに達し、参照デバイスと比較して12.4%および7.43%の向上を実現しました。本研究は、二次元材料のQLEDデバイスへの革新的応用価値を明らかにするとともに、ディスプレイ技術分野でのさらなる開発のための新たな研究方向を提供します。

QLED;六方窒化ホウ素;電子遮断層;キャリア注入バランス;界面改質