量子ドット発光ダイオード（QLED）は新世代ディスプレイ技術の重要な開発方向であり、その電子伝達層（ETL）には通常、酸化亜鉛（ZnO）材料が使用されています。しかしながら、ZnOの高い電子移動度は発光層（EML）内のキャリア注入の不均衡を引き起こしやすく、またその表面の酸素空孔などの欠陥は非放射性結合を引き起こします。本研究では、革新的に六角窒化ホウ素（h-BN）という典型的な二次元材料を導入し、EMLとZnOの界面に電子ブロック層を構築しました。実験結果により、h-BNの導入によりデバイス内のキャリアバランスが効果的に改善され、ZnOの欠陥による発光の消光が著しく抑制されました。h-BNインターフェイス修飾後、QLEDデバイスの外部量子効率（EQE）と電流効率（CE）はそれぞれ17.31％と18.80 cd/Aに達し、参照デバイスと比較して12.4％と7.43％の向上が実現しました。この研究は、二次元材料がQLEDデバイスでの革新的な応用価値を明らかにするだけでなく、ディスプレイ技術分野でのその深い開発に新しい研究のアイデアを提供しています。

QLED;六角窒化ホウ素;電子ブロック層;キャリア注入バランス;界面修飾