量子ドット発光ダイオード（QLED）は次世代ディスプレイ技術の重要な発展方向であり、その電子輸送層（ETL）は通常酸化亜鉛（ZnO）材料で構成されています。しかし、ZnOの過剰な電子移動度は発光層（EML）内のキャリア注入の不均衡を引き起こし、表面の酸素空孔などの欠陥は非放射性再結合を誘発します。本研究では、典型的な二次元材料である六方晶窒化ホウ素（h-BN）を革新的に導入し、EMLとZnOの界面間に電子遮断層を構築しました。実験結果は、h-BNの導入がデバイス内部のキャリアバランスを効果的に改善し、ZnO欠陥による発光消光を著しく抑制することを示しています。h-BN界面修飾後、QLEDデバイスの外部量子効率（EQE）および電流効率（CE）はそれぞれ17.31％および18.80 cd/Aに達し、参照デバイスと比較して12.4％および7.43％の向上を実現しました。本研究は、二次元材料のQLEDデバイスにおける革新的応用価値を明らかにするとともに、ディスプレイ技術分野でのさらなる開発のための新しい研究方向を提供します。

QLED;六方晶窒化ホウ素;電子遮断層;キャリア注入バランス;界面修飾