摘要
酸化ガリウムの広いバンドギャップ特性により、日光に盲目な紫外線光電検出器の製造に非常に適しています。薄膜ベースの紫外線光電検出器の応答度はしばしば低いです。しかし、高い比表面積と高い結晶品質による高い安定性のため、ナノ材料はデバイス応用において優れた光電性能を示します。本研究では、パルスレーザー堆積（PLD）を用いて、二重通路が秩序的に配置された多孔質AAOテンプレート上にβ-Ga2O3ナノポアの堆積に成功しました。多孔質AAOテンプレートをナノ材料の成長空間として利用し、酸化ガリウム材料をテンプレートの孔道に充填してナノチューブ構造を形成しました。製造プロセスの最適化により、酸化ガリウムナノチューブの性能と成長時間の関係を詳細に研究し、検出器の応答度を向上させました。
关键词
β-Ga2O3ナノポア; AAOテンプレート; パルスレーザー堆積; 広帯域半導体材料
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