酸化ガリウムの広いバンドギャップ特性により、可視光に盲目な紫外線光電検出器の作製に非常に適しています。薄膜ベースの紫外線光電検出器の応答度はしばしば低いです。しかし、高い比表面積と高い結晶品質により高い安定性がもたらされるため、ナノ材料はデバイス応用において優れた光電性能を持っています。ここでは、PLDにより二方向に整然とした多孔性AAOテンプレート上にβ-Ga₂O₃ナノポアを成功裏に堆積しました。多孔性AAOテンプレートをナノ材料の成長空間として利用し、酸化ガリウム材料をテンプレートの孔道に充填してナノチューブ構造を形成しました。製造プロセスを最適化することで、酸化ガリウムナノチューブの性能と成長時間の関係を深く研究し、検出器の応答度を向上させました。

β-Ga₂O₃ナノポア; AAOテンプレート; パルスレーザー堆積; 広帯域半導体材料