二重配位子共同パッシベーションによるCsPbBr3量子ドットおよびその発光ダイオード性能

WANG Zhen ,  

WANG Yi ,  

XIE Jifan ,  

ZUO Jialing ,  

TANG Xiantong ,  

PAN Ruiheng ,  

摘要

CsPbBr3量子ドット（QDs）は、高い光致発光量子収率と狭帯域発光特性により、QLED分野で大きな可能性を示しています。CsPbBr3 QDsの表面には多くのBr空孔（VBr）および未配位のPb2+が存在し、バンド内にトラップ状態を導入し、キャリアの非放射再結合を促進してデバイス効率を低下させます。本研究では、DDABとDOTAの共同パッシベーション戦略を採用し、相乗効果により表面のVBrを効果的に埋め、露出したPb2+と配位して表面欠陥を低減し、量子ドットの発光性能を向上させました。TEM、XRD、FT-IRなどの解析により、本パッシベーション戦略処理した量子ドットの光致発光量子収率（PLQY）は99.65%に向上し、耐熱性および成膜性も向上しました。作製したQLEDデバイスは最大輝度8,000 cd·m-2、ピーク外部量子効率（EQE）5.29%を達成し、未パッシベーション量子ドットのQLEDデバイスの1.48倍でした。

关键词

ペロブスカイト; 量子ドット; 共同パッシベーション; 表面欠陥

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