六方窒化ホウ素（h-BN）は、代表的な広帯域ギャップの二次元層状材料であり、その表面は原子レベルで平滑で、ぶら下がり結合や帯電不純物がなく、優れた機械的安定性、熱安定性および化学的惰性を持っています。光電子学、量子光学、電子工学の分野で卓越した特性を示すため、現在では様々な応用シナリオの低次元基板材料担体として用いられています。本稿ではまずh-BNの基本構造および光電気的、機械的、熱的な材料特性について体系的に紹介し、その後、剥離法、化学的および物理的気相成長、分子線エピタキシーなどの最新の製造方法を解説します。特に、遷移金属基板および誘電体基板上での化学気相成長によるh-BN薄膜の成長状況を詳述し、その独自の利点を分析します。続いて、転送媒体、FETゲート絶縁層、深紫外光電子デバイス、単一光子源および中性子検出器など、h-BNベースのデバイス応用に関する最新の研究進展を多角的に紹介します。最後に、h-BNの研究現状と重要課題に基づき、直面する課題とボトルネックを分析し、将来の発展方向を展望します。

二次元材料;六方窒化ホウ素;製造方法;光電子応用