偏光依存圧縮量子井戸増幅チップ

DUAN Yijiang ,  

CHEN Chao ,  

SUN Jingjing ,  

ZHANG Jianwei ,  

LIU Zhaohui ,  

CHEN Peng ,  

ZHOU Yinli ,  

WU Hao ,  

ZHANG Zhuo ,  

LIU Tianjiao ,  

ZHANG Dayong ,  

NING Yongqiang ,  

WANG Lijun ,  

摘要

半導体増幅チップは、外部共振器半導体レーザー（ECSL）の能動媒質として、その出力、偏光依存性および線幅拡張因子などの特性がレーザーの核心性能を直接決定します。半導体増幅チップの偏光消光比を向上させ、レーザー内のモード競合によって誘導されるノイズを低減するために、本論文では量子井戸の厚さ及び量子井戸のひずみが横電（TE）モード及び横磁（TM）モードの材料利得に与える影響を研究し、同時に能動領域長が増幅チップの出力および自発放射スペクトルに及ぼす影響を検討しました。InGaAs/AlGaAs量子井戸に圧縮ひずみを導入することで、TEモードとTMモード間の材料利得差を向上させ、明瞭な偏光依存性を持つ850 nm帯の半導体増幅チップを実現し、最大偏光消光比は9.58 dB、最大自発放射スペクトル帯域幅は28.72 nm、最大出力は28.53 mWでありました。本研究は、量子精密測定、コヒーレントレーザーレーダー及びコヒーレント光通信などの分野で必要とされる狭線幅、直線偏光レーザーのための顕著な偏光特性を有する能動増幅媒質を提供します。

关键词

増幅チップ;外部共振器半導体レーザー;量子井戸;偏光消光比;直線偏光

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