無毒性、高効率安定、および優れた光電性能から、無鉛ハロゲン化物ペロブスカイトは、照明およびディスプレイ分野で幅広い応用が期待されており、鉛ハロゲン化物ペロブスカイトの有望な代替品の1つと見なされています。しかし、現在の二重ペロブスカイト発光膜の製造は手順が煩雑で安全上の問題が大きいため、その商業化プロセスを著しく制限しています。本研究では、一段法原位合成Cs₂NaInCl₆@PVDF（ポリ偏二フッ化エチレン）薄膜を採用し、Sb³⁺ドーピングによってCs₂NaInCl₆母材料の偶奇跃遷禁止帯を破り、発光物の内束縛励起子からの明るいブルーライト放射を実現しました。その発光ピークは450nmであり、半値幅は約80nmで、最高光致発光量子収率（PLQY）は71.0%に達しました。この薄膜は333K条件下で連続加熱処理7日後も、初期値の90%以上のPLQYを維持し、優れた熱安定性を示しました。さらに、Sb³⁺ドーピングベースでMn²⁺を共ドープし、Mn²⁺からの赤色光放射を導入しました。Mn²⁺/Sb³⁺イオンドーピング比を調整することで、色調節が可能な二色発光を実現しました。本研究は、無鉛ハロゲン化物発光膜合成戦略の効率的で簡便な手法を提供し、その照明およびディスプレイ分野での応用を推進する基盤となります。

原位合成;二重ペロブスカイト;二色発光;光致発光;Cs₂NaInCl₆@PVDF