無鉛ハライド二重ペロブスカイトは、その無毒性、高効率で安定した優れた光電特性により、鉛ハライドペロブスカイトの最も有望な代替品の一つと見なされており、照明およびディスプレイ分野で広い応用可能性を示している。しかし、現在の二重ペロブスカイト発光膜の作製は煩雑で安全上の問題があり、商業化の進展を著しく制限している。本研究では、一段階の原位合成法によりCs₂NaInCl₆@PVDF（ポリフッ化ビニリデン）薄膜を作製し、Sb³⁺ドープによりCs₂NaInCl₆基材の偶奇遷移禁止を破り、自陥没励起子からの明るい青色発光を実現した。発光ピークは450 nmで、半値幅は約80 nm、最高光励起発光量子収率（PLQY）は71.0％に達した。本薄膜は333 K条件下で7日間連続熱処理後も、PLQYが初期値の90％以上を維持し、良好な熱安定性を示した。さらに、Sb³⁺ドープに基づいてMn²⁺の共ドープを行い、Mn²⁺由来の赤色発光を導入した。Mn²⁺/Sb³⁺イオンドープ比を調整することで、色調整可能な二色発光を実現した。本研究は、高効率で簡便な二重ペロブスカイト発光膜の合成戦略を提供し、照明およびディスプレイ分野での応用推進の基盤を築いている。

原位合成;二重ペロブスカイト;二色発光;光励起発光;Cs₂NaInCl₆@PVDF