摘要
二次元半導体は原子層の極限厚さとファンデルワールス集積特性を持ち、室温での発光は励起子が主導しており、微細ナノフォトニクスデバイスの最先端研究材料である。その中で、電気励起された励起子発光デバイスは、その新奇な発光物理の研究と微細ナノフォトニクスデバイスの集積応用推進の鍵である。現在、二次元半導体励起子発光デバイスは主に可視光域に集中しており、近赤外通信波長帯の電気発光デバイスの構築には課題が存在する。本研究は、二層および三層の黒リンの励起子近赤外蛍光特性に基づき、横方向電場を利用して励起子発光を制御し、さらに電場駆動の非注入型励起子近赤外発光デバイスをそれぞれ1150 nmおよび1500 nm付近の波長で構築した。少層黒リン励起子を利用した近赤外電気駆動発光デバイスは、二次元材料の電気発光デバイスの波長帯域を拡張し、近赤外微細発光デバイスに新たな材料と方法を提供する。
关键词
二次元材料;黒リン;励起子;近赤外;発光ダイオード
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