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高輝度1 060 nm HiBBEE錐形半導体レーザー
LIU Xiang
,
WU Chengkun
,
XUE Xiaoe
,
MIAH Md Jarez
,
WANG Lijie
,
SU Jiaxin
,
GAO Xiang
,
SANA Fatima
,
TIAN Sicong
,
BIMBERG Dieter
,
DOI:
10.37188/CJL.20250056
摘要
1 060 nm波長の半導体レーザーの高輝度、低発散角出力を実現するために、高輝度な垂直広領域エミッタ(HiBBEE)チップを使用し、HiBBEE錐形半導体レーザーを設計・製造した。このレーザーは、単モード出力を実現するために7 µmの狭い背骨ウェーブガイドを使用し、また出力増幅のために背面に100 µmの錐形ウェーブガイド部分を採用している。レーザーの輝度は25 MW/cm²に達する。HiBBEE構造により垂直方向の発散角が8.0°まで減少している。このレーザーは、目に安全なレーザーレーダーなどの分野で重要な応用がある。
关键词
錐形半導体レーザー;垂直広領域エミッタ;高輝度;ビーム品質
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