高輝度1060 nm HiBBEE円錐形半導体レーザー

LIU Xiang ,  

WU Chengkun ,  

XUE Xiaoe ,  

MIAH Md Jarez ,  

WANG Lijie ,  

SU Jiaxin ,  

GAO Xiang ,  

SANA Fatima ,  

TIAN Sicong ,  

BIMBERG Dieter ,  

摘要

1060 nm半導体レーザーの高輝度、低発散角出力を実現するために、高輝度垂直ワイド領域側面放出（HiBBEE）エピタキシャルチップを用いて、HiBBEE円錐形半導体レーザーを設計し、成功裏に作製した。本レーザーは7 μm幅狭リッジ導波路を用いて単一モード出力を実現し、後腔面の100 μm円錐形導波路部分で出力増幅を行う。動作電流1.5 A条件においてレーザー輝度は25 MW·cm-2·sr-1に達した。HiBBEE構造により垂直方向の発散角は8.0°に減少した。本レーザーは眼の安全を考慮したレーザーライダーなどの分野で重要な応用を有する。

关键词

円錐形半導体レーザー;垂直ワイド領域側面放出レーザー;高輝度;ビーム品質

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