カルシウムペロブスカイトナノワイヤはその固有の輝射極性発光特性により広い関心を引きつけています。しかし、コーティングプロセス中にテンプレートを使用せずにカルシウムペロブスカイトナノワイヤの均一な配向性を得ることは、それらの輝射極性発光の適用の展望を制限してきました。本研究では、カルシウムペロブスカイトナノワイヤのテンプレートなしエピタキシャル成長の問題を、懸濁液中の集合体構造の調整とスケーラビリティに対応したコーティング手法との組み合わせによって解決しました。懸濁液の濃度とスクレーピング力を最適化することで、追加のテンプレートを導入することなく、カルシウムペロブスカイトナノワイヤの薄膜は66.7%以上の光誘起発光偏光度および27.5%以上の光誘起変形偏光度を示しました。この研究は、高性能の内蔵極性発光デバイスの低コストで大面積の製造の新しい展望を提供しています。

metal halide perovskites;semiconducting nanowires;blade coating;orientation optimization;linearly polarized light-emitting diode