量子ドット発光ダイオード（QLED）は、その優れた光学特性と溶液加工特性により、次世代のディスプレイおよび照明技術の有力な候補となっている。しかし、従来のホール注入材料（PEDOT∶PSSなど）には多くの問題があり、その性能向上を制限している。本研究では硫氰酸銅（Copper thiocyanate、略称CuSCN）をホール注入層として使用し、緑色のCdSe/ZnS量子ドットを発光層とし、PVKやPoly-TPDなどの異なるホール輸送層（HTL）と組み合わせて溶液加工技術により緑色QLED素子を作製し、交流駆動および直流駆動下での素子の光電性能を比較分析した。研究の結果、CuSCNとPVK間のエネルギーバリアにより界面での電荷捕獲が起こり、素子性能が低下した。一方、poly-TPD導入後は、その高いホール移動度と浅いHOMOエネルギーレベルにより界面での電荷捕獲が効果的に減少し、素子の発光輝度と電流効率が著しく向上した。最大発光輝度および最大電流効率はそれぞれ132,075 cd/m²および15.6 cd/Aであった。本研究は、CuSCN/HTL界面における電荷捕獲がQLED性能に及ぼす影響メカニズムを明らかにし、高効率溶液加工QLEDにおける無機CuSCNの応用に理論的支援と実践的指針を提供する。

硫氰酸銅;量子ドット発光ダイオード;ホール注入層;捕獲された電荷;交流駆動