量子ドット（QDs）は、高い蛍光量子収率（PLQY）、高い色純度、および溶液加工特性を有しており、発光ディスプレイ分野で広く応用されています。しかし、高効率で安定した青色QDsおよびそれらのデバイスの実現は依然として大きな課題です。本研究では、青色CdZnS/ZnSコアシェル構造QDsを対象とし、シェル成長の硫黄前駆体としてオクタンチオール（OT）を用い、OTの注入速度を制御することでシェルの成長速度を調整し、制御されたエピタキシャル成長を実現しました。透過型電子顕微鏡、遷移/定常蛍光分光法などにより、シェル成長速度がCdZnS/ZnS QDsのシェル品質および発光性能に与える影響を体系的に調査しました。結果は、成長速度を適度に低下させることでシェルの均一成長が促進され、98％の高いPLQYと22nmの狭い半値幅（FWHM）を達成できることを示しました。しかし、成長速度が遅すぎるとシェルの異方的成長が生じ、カークエンダル効果に伴い多数の格子欠陥が発生し、発光性能が著しく低下します。本研究は、成長速度がQDsのシェル成長品質に与える影響の理解を深めました。

CdZnS/ZnS量子ドット;前駆体注入速度;シェル成長動力学;発光性能