スズ鉛（Sn-Pb）混合ペロブスカイトは、その卓越した光電特性により、近赤外光電探知器分野で急速に発展しています。しかし、その固有の急速な結晶化特性とSn²⁺の酸化の問題により、高性能なスズ鉛混合光電探知器の実現は依然として大きな課題です。本研究では、この問題を解決するために、多機能分子である2,3-ジフルオロアニリン（DBM）を導入し、Sn-Pb混合ペロブスカイトの結晶化過程を制御するとともに、Sn²⁺の酸化を遅延させることで薄膜の品質を効果的に向上させました。元の薄膜と比較して、DBM分子で調整されたSn-Pb混合ペロブスカイト薄膜は、高度に均一な形態学、著しく低減された粗さおよび欠陥密度を示しました。このような制御された薄膜に基づいて作製された自己駆動型近赤外光電探知器は、300〜1100 nmのスペクトル応答範囲、最大応答度0.51 A·W^-1、近赤外領域（780〜1100 nm）における特異検出率2.46 × 10¹¹ジョーンズ、152 dBを超える線形動的範囲、および123/464 nsの応答時間を有します。この基盤上で作製された5 × 5光電探知器アレイは、近赤外領域（最大980 nm）で優れたイメージング性能を示しました。本研究は、Sn-Pb混合ペロブスカイトの近赤外検出およびイメージング分野の急速な発展を促進するだけでなく、その商業化プロセスの基盤を築きました。

スズ鉛混合ペロブスカイト;近赤外光電探知器;イメージングアレイ;酸化;結晶制御