摘要
ピコ秒レーザーは高いパルスエネルギー、高い出力密度、低い熱影響を特徴とし、微細加工や精密切断などの分野で優れた性能を示し、レーザー加工、航空宇宙、生物医学などの分野で広く応用されている。パッシブQスイッチ技術は共振器のQ値を調整してパルスレーザー出力を実現し、ピコ秒レーザー発生の重要な手法の一つとなっている。本稿ではパッシブQスイッチ技術を用いたピコ秒パルスの獲得における応用を概説し、マイクロチップ構造、半導体飽和吸収ミラー（SESAM）、結合結晶の3つの異なる技術手段を利用して共振器長を短縮し、ピコ秒パルスを得る方法と、ピコ秒パルス獲得時のその他の性能向上について重点的に紹介する。近年の1064 nmパッシブQスイッチ技術がピコ秒パルスレーザー分野で達成した顕著な進展をまとめ、パッシブQパルスレーザーの発展と応用について展望する。
关键词
ピコ秒レーザー;パッシブQスイッチ技術;マイクロチップレーザー;半導体飽和吸収ミラー（SESAM）;結合結晶
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website