現在、様々な量子ドットパターニング技術で製造された高解像度量子ドット発光ダイオード（Quantum dot light-emitting diode、QLED）は、ピクセル間のリーク電流が大きいことが主な原因で、一般的に効率が低い問題に直面しています。この問題を解決するために、本論文ではナノインプリント技術を用いてハニカム状のポリメチルメタクリレート（Poly(methyl methacrylate)、PMMA）薄膜を作製し、これをQLED発光層の電荷遮断層として適用し、8467ピクセル毎インチ（Pixel per inch、PPI）の赤色QLED素子の作製に成功しました。PMMAの優れた絶縁特性により、電荷遮断層は電子輸送層と正孔輸送層の直接接触を効果的に遮断し、製造された素子のリーク電流は遮断層なしのパターニング素子に比べて大幅に低減され、外部量子効率（External quantum efficiency、EQE）が大幅に向上し、最大EQEは15.31％、最大輝度は100,274 cd/m²に達しました。

量子ドット発光ダイオード（QLED）；ナノインプリント；高解像度；電荷遮断層