現在、さまざまな量子ドットパターニング技術を用いて作製された高解像度量子ドット発光ダイオード（Quantum dot light-emitting diode、QLED）は、一般的に低効率の問題に直面しており、その主な原因はピクセル間の大きなリーク電流にあります。この問題を解決するために、本論文ではナノインプリント技術を用いてハニカム状のポリメチルメタクリレート（Poly(methyl methacrylate)、PMMA）薄膜を作製し、これをQLEDの発光層における電荷遮断層として適用し、解像度8,467ピクセル毎インチ（Pixel per inch、PPI）の赤色QLEDデバイスを成功裏に得ました。PMMAの優れた絶縁特性により、電荷遮断層は電子輸送層とホール輸送層の直接接触を効果的に遮断し、製造されたデバイスのリーク電流は遮断層なしのパターン化デバイスに比べて大幅に低減され、その結果、外部量子効率（External quantum efficiency、EQE）が大幅に向上し、最大EQEは15.31％、最大輝度は100,274 cd/m²に達しました。

量子ドット発光ダイオード（QLED）; ナノインプリント; 高解像度; 電荷遮断層