摘要
InAlGaAs/AlGaAs多重量子井(MQWs)は、その広いスペクトル範囲により近赤外および可視光領域でますます注目されており、新たな研究ホットスポットとなっている。本研究では、MOCVD成長技術を用いてInAlGaAs/AlGaAs多重量子井材料を作製した。挿入層（ISL）材料の選択時に考慮すべき主な要因および理論計算に基づき、挿入層構造が量子井の発光特性に与える影響を探究した。挿入層なしのInAlGaAs量子井および異なる厚さとAl組成のAlGaAs挿入層を設計・成長した。実験結果は、挿入層の導入が量子井の発光強度を大幅に向上させることを示した。試料自体に局所状態が存在するものの、挿入層の存在はより多くの局所状態を導入せず、挿入層の存在は量子井内のキャリア再結合機構を変化させなかった。研究結果は、InAlGaAs量子井の構造最適化および挿入層技術に重要な理論的解析と実験データを提供し、合理的な挿入層設計によりInAlGaAs量子井の光学特性を大幅に向上できることを示している。
关键词
InAlGaAs多重量子井; 挿入層; 金属有機化学気相成長（MOCVD）
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