N-フェニルマレイミド修飾量子ドットフォトレジストを用いた色変換ピクセル化薄膜の作製

JIANG Borui ,  

SONG Boxiang ,  

CHEN Enguo ,  

LUO Jiajun ,  

TANG Jiang ,  

摘要

フォトリソグラフィー法は、マイクロLED(Micro-LED)のピクセル化された色変換薄膜を作製する信頼性の高い手法ですが、量子ドットとフォトレジストの相溶性に課題があります。本研究では、N-フェニルマレイミド(NPMI)側鎖修飾アクリル樹脂を用いて量子ドットと相溶性のあるフォトレジストを開発しました。側鎖基のC–O結合が量子ドットと配位結合を形成し、表面欠陥をパッシベートするとともに量子ドットの分散性を向上させます。フォトレジスト溶液の量子収率(PLQY)は赤色で76.1%、緑色で43.4%に達しました。最終的に作製した色変換薄膜でもパッシベーション効果が維持されており、緑色および赤色のPLQYはそれぞれ66.4%および36.4%で、ピクセル化パターンの最小サイズは10 μm×10 μmの長方形アレイを実現しました。本研究の樹脂側鎖修飾方法は、量子ドットと相溶性のあるフォトレジストの開発指針となり、Micro-LEDのフルカラー商用化に向けた簡便かつ実現可能なソリューションを提供します。

关键词

量子ドットフォトレジスト; 色変換; 樹脂修飾; ピクセル化

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