摘要
放射線損傷は医療画像、大型科学装置、宇宙産業など多くの分野で共通の核心的問題であり、材料の高エネルギー放射安定性と損傷機構の研究は実用化に不可欠な要素です。新しいペロブスカイト半導体材料は高エネルギー放射線検出分野で大きな応用可能性を持っていますが、その高エネルギー放射照射安定性は依然として議論の余地があり、放射線損傷の機構はまだ明らかになっていません。本稿では、高エネルギー放射環境下におけるペロブスカイトの損傷メカニズムと放射線安定性に影響する主な要因を検討し、ペロブスカイト材料の耐放射線能力を強化するための潜在的な戦略を提案し、ペロブスカイト構造と放射線安定性の構造-機能関係を得て、ペロブスカイト放射線検出デバイスの開発に有効な参考資料を提供することを目的としています。
关键词
ペロブスカイト;放射線安定性;損傷機構
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