摘要
Ⅲ族窒化物材料を用いたMicro LEDディスプレイには、高性能なInGaN系赤色LEDが急務である。本研究では、分極工学を利用して組成勾配InGaNを最終量子障壁層（Last quantum barrier, LQB）として構築した窒素極性InGaN系赤色LEDを作製した。数値シミュレーションの結果、窒素極性InGaN系LEDでは反対の分極電界が量子井戸内のキャリア閉じ込め能力を効果的に強化し、デバイスの閾値電圧を低減することが示された。特に、窒素極性InGaN系LEDにおいて、組成勾配InGaN LQB層とp-GaN界面で電子および正孔のポテンシャル井戸が同時に形成され、高効率な放射発光を生み出し、それによりInGaN系赤色LEDの発光性能を効果的に向上させた。本研究は、高効率なInGaN系赤色LEDの構造設計およびデバイス製作に新たな知見を提供する。
关键词
InGaN; 分極工学; 赤色LED
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