ZnOは典型的な第3世代半導体材料であり、禁制帯幅は3.37 eVです。本来のZnOはn型半導体であり、ドナードープ技術を用いることでn型導電特性を著しく向上させることができます。ZnO基透明導電薄膜は、原料の豊富さ、多様な製造方法、室温成長可能などの利点があり、光電子、センサー、光熱など多くの分野に応用可能です。中でもAlドープされたZnO（AZO）は、典型的な透明導電酸化物（TCO）として注目されています。本稿ではAZO薄膜を主要な代表例として、ZnO基透明導電薄膜の最新の研究進展を概説し、ドープされたZnO単層薄膜、ZnO基多層薄膜、柔軟なZnO基薄膜など様々なタイプの透明導電薄膜の物理化学的性質を含みます；特にZnO基透明導電薄膜の移動度、禁制帯幅、透過率/吸収率/反射率などの光電特性とそれらの内在的関係に重点を置き；発光ダイオード、太陽電池、センサー、半導体加熱などの分野におけるZnO基透明導電薄膜の応用例を詳述し；最後に存在する課題と将来の展望を述べています。

酸化亜鉛;透明導電薄膜;ドナー ドープ;AZO;光電特性