摘要
広帯域ギャップ半導体は、フィルタなしでコンパクトな昼光盲紫外線検出器の開発に大きな可能性を持っています。本稿では、分子線エピタキシー法で作製した単結晶MgZnO薄膜とマグネトロンスパッタリングによる非晶質Ga2O3薄膜、およびそれらに対応する昼光盲紫外線検出器の研究経験を踏まえ、MgZnOおよび非晶質Ga2O3を代表とする広帯域ギャップ酸化物半導体深紫外検出器の研究進展を概説しました。非晶質Ga2O3薄膜は単結晶薄膜に劣らない深紫外応答特性を持つことが明らかになりました。多くの研究結果は、酸素空孔に関連する欠陥がデバイス性能に極めて重要な役割を果たしており、適切に制御することでデバイス性能を効果的に向上できることを示しています。さらに、酸素空孔欠陥に伴う持続光電導効果は、深紫外光電シナプスデバイスの開発に新たな研究視点を提供します。最後に、これらの研究に存在する問題点を分析・総括し、今後の深紫外検出における広帯域ギャップ酸化物半導体材料、特に非晶質Ga2O3材料の産業応用のさらなる推進を期待しています。
关键词
昼光盲紫外線;光電検出器;マグネシウム亜鉛酸化物;ガリウム酸化物;非晶質
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