摘要
ZnOの60 meVに達する励起子結合エネルギーにより、励起子エネルギーは室温やそれ以上の温度でも安定して存在することができ、これによりZnO強結合マイクロキャビティに基づく励起子ポラリトンデバイスは従来の半導体の低温実験条件の制限を突破でき、過去10年間で研究者に好まれる励起子ポラリトン研究材料となっている。本稿ではZnOの主要な半導体マイクロキャビティ構造を紹介し、近年報告されたZnO強結合マイクロキャビティおよび励起子ポラリトンに関する現象、極性トンレーザー、パラメトリックスキャッタリング、量子状態制御特性などに焦点を当て、最後に今後の研究方向について展望を述べる。
关键词
酸化亜鉛; 励起子ポラリトン; 光学マイクロキャビティ; ボース＝アインシュタイン凝縮
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