準二次元ペロブスカイトは、高い光励起発光量子効率と三次元ペロブスカイトの利点を兼ね備えており、高性能発光ダイオード（LED）の理想的な材料となっています。準二次元ペロブスカイトでは、結晶の配向、相分布、および層の厚さといった構造的要因が材料中の励起子および電荷の挙動に直接影響を与えます。合成条件の調整や異なる成長制御技術の採用により、材料の構造特性を精密に制御することができ、それが励起子の動力学や電荷輸送に影響を及ぼします。本稿では、準二次元ペロブスカイトの基本特性を概説し、溶液中の結晶成長について論じ、構造がエネルギー移動挙動にどのように影響するかを説明し、準二次元ペロブスカイトLEDの将来展望を述べます。構造依存の挙動を理解し最適化することで、研究者は励起子の動力学と電荷輸送をより効果的に制御し、太陽電池やLEDなどの光電子デバイスの性能向上につなげることができます。

準二次元ペロブスカイト;発光ダイオード;成長制御;エネルギー移動