VO2相変化制御に基づくGa2O3/VO2ヘテロ接合デバイスのモデリングとシミュレーション

FENG Yunsong ,  

ZHOU Changqi ,  

WANG Siyu ,  

LU Yuan ,  

JIN Wei ,  

SHANG Yuanxin ,  

LI Yafan ,  

CHEN Youcai ,  

摘要

COMSOL multiphysicsソフトウェアを用いて、Ga2O3/VO2に基づくヘテロ接合光電デバイスの2次元物理シミュレーションを行った。VO2相変化制御に基づくGa2O3/VO2ヘテロ接合光電デバイスのドーピング曲線、エネルギーレベル図、電界分布および電位分布を分析し報告した。光電探知器としてのデバイスの応用を探究し、1 Vのバイアスおよび10 μWの照射条件下でのデバイスのピーク応答率は0.068 A/W、抑制比（R250 nm/R450 nm）は105オーダーに達した。これらのシミュレーションデータは、Ga2O3/VO2光電ダイオードの実験研究および応用のさらなる最適化に資するものである。

关键词

Ga2O3/VO2ヘテロ接合;COMSOL;VO2相変化;エネルギーレベル構造;シミュレーション

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website