GaAs基のナノ材料は、その優れた光電特性により、近赤外ナノ光電子デバイスにとって極めて重要である。しかし、GaAs材料のサイズが縮小するにつれて、閃亜鉛鉱（ZB）相とギ酸亜鉛（WZ）相の混合によって生じるⅡ型量子井戸構造と、大きな表面積対体積比によって引き起こされる表面欠陥がGaAsナノワイヤの発展を著しく妨げている。高い発光効率を持つGaAs基ナノワイヤの実現が研究の重点となっている。本研究では、あらかじめエッチングされたシリコン基板とGaAs/AlGaAsコアシェルヘテロ構造の形成を組み合わせ、影響効果と表面パッシベーションを利用して、良好な垂直性、優れた結晶構造および高い発光効率を持つGaAs基ナノワイヤを作製した。この結論の主な証拠には、変温スペクトルにおける顕著な自由励起子の発光と、変光強度スペクトルに示唆される低い熱活性化エネルギーが含まれる。結果は、説明された成長方法が他のⅢ－Ⅴ族低次元材料の結晶構造および光学特性の改善に利用可能であり、将来のナノワイヤデバイスの基盤を築くことが期待されることを示している。

GaAsナノワイヤ;GaAs/AlGaAsコアシェル構造;結晶相;光学特性