高出力1150 nm垂直外共振器半導体レーザー

ZHANG Zhijun ,  

CHEN He ,  

ZHANG Zhuo ,  

LIU Zhijun ,  

ZHANG Jianwei ,  

DU Ziye ,  

ZHOU Yinli ,  

ZHANG Xing ,  

CHEN Chao ,  

NING Yongqiang ,  

WANG Lijun ,  

摘要

現在のレーザーメディカル、食品・医薬品検査分野における橙黄色レーザーの応用需要に対応して、高出力基底波1150 nm垂直外共振器半導体レーザー（VECSEL）の研究を行った。レーザー共振器内に大寸法基底モード光斑の外共振器構造を提案し、VECSEL共振器内のモードが大きなポンプスポット寸法に対応することで高出力レーザー出力を実現した。利得ピーク－共振器モードのミスマッチ構造を提案し、利得ピークと共振器モードの温度ドリフト係数が異なり、高ポンプパワー下で良好な利得ピーク－共振器モード整合性を実現し、高ポンプパワー駆動時のレーザー波長安定制御を達成した。試作したVECSEL素子は1150 nm波長において出力電力9.38 Wを達成し、良好な円形対称な出力スポット形状を得た。スポットの直交方向の発散角はそれぞれ7.3°と7.5°であった。

关键词

半導体レーザー;垂直外共振器半導体レーザー;増幅チップ;変形量子井戸

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