Zn2+ドープMgGa2O4∶Ni2+近赤外第2領域発光材料の調製、特性評価および撮像応用研究

ZHANG Lin ,  

YANG Jian ,  

LI Shengnan ,  

WANG Shuai ,  

ZHU Hancheng ,  

YAN Duanting ,  

XU Changshan ,  

LIU Yuxue ,  

摘要

水熱法と後期の真空熱処理を組み合わせた方法により、逆スピネル構造を持つZnxMg0.993-xGa2O4∶0.7％Ni2+（x=0〜0.5）（ZMGO∶Ni2+）近赤外第2領域（NIR-Ⅱ：1,000〜1,700 nm）蛍光体を調製した。Zn2+のドープ量が増加するにつれて、ZMGO∶Ni2+粉末試料の粒子サイズは徐々に大きくなった。635 nmのレーザー励起下で、約1279 nmに広帯域発光ピークが観察され、Ni2+の特徴的な発光に起因することが確認された。さらに、Zn2+ドープにより試料の蛍光消光の熱活性化エネルギーは244 meVから224 meVに減少した。最も強い発光強度を持つZMGO∶Ni2+粉末試料と620 nm赤色LEDチップを封止してNIR-Ⅱ蛍光体変換LED（NIR-Ⅱ pc-LED）を作製した。NIR-Ⅱ光の透過能力が高く、生体組織の自己蛍光を発生させない特性に基づき、NIR-Ⅱ pc-LEDを光源として、遮蔽状況下でのナイトビジョン撮像および生体組織撮像への応用をそれぞれ検討した。

关键词

光励起蛍光;遷移金属イオン;近赤外第2領域;蛍光体

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website