摘要
高温熱処理されたAlN基板上に製造された異なる発光波長のAlGaN系LEDデバイスのウイルス不活化効率を調査するため、本研究では発光波長257～294 nmの範囲内で7組の異なる発光波長のAlGaN系深紫外LEDデバイスを製造し、そのコクサッキーウイルス不活化効率を調査した。実験結果は、高温熱処理されたAlN基板がAlN基板の転位密度を1.33×107 cm-2に低減でき、高効率AlGaN系LEDデバイスの製造に良好な基盤を提供することを示した。高温熱処理AlN基板上に製造されたAlGaN系LEDデバイスは、不活化距離2 cm、紫外線照射時間30秒の実験条件下で、発光中心波長が257～278 nmのAlGaN系LEDデバイスのコクサッキーウイルス不活化率が≥99.90%である一方、発光中心波長が288 nmおよび294 nmのLEDの不活化率はそれぞれ99.47%および96.15%であった。これらの研究結果に基づき、257～278 nmの波長域のAlGaN系LEDデバイスはウイルス除去分野での応用に適している。本研究の実験条件下では、288 nmを超える波長のAlGaN系深紫外LEDデバイスはウイルス不活化効果が劣ることが示された。
关键词
高温熱処理;AlN基板;AlGaN;LED;ウイルス不活化
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