F/Oアニオン置換によるZnGa2O4∶Cr3+近赤外発光の制御

WU Yubo ,  

YU Shijie ,  

HUANG Qianxing ,  

SHAO Qiyue ,  

摘要

高温固相法を用いて、ZnGa2O4∶xCr3+,yMgF2の一連の蛍光体を作製し、その相構造と発光特性を調査した。結果は、MgF2ドープにおいて支配的な役割を果たすのはFイオンであり、F/Oアニオンの置換により局所的に異なる[CrO6]および[Cr(O,F)6]発光中心が形成され、ZnGa2O4∶Cr3+の発光スペクトルが著しく広がることを示した。さらにCr3+濃度を増加させることで、発光スペクトルが連続的に赤方偏移し、689~900 nmの範囲でピーク波長が調整可能な発光を実現した。定常および遷移状態の分光分析により、スペクトルピークの大幅な赤方偏移は異なるCr3+発光中心間のエネルギー移動によることが示された。最適化したサンプル ZnGa2O4∶0.1Cr3+,0.2MgF2(ZMGOF∶0.1Cr3+)は、青色励起下で700~1,200 nmの広帯域近赤外発光を示し、ピーク波長885 nm、半値全幅215 nmを持ち、優れた発光効率と熱安定性を有している。内部および外部量子効率は、それぞれ92.3%および48.1%であり、100 ℃での強度保持率は約89.6%である。ZMGOF∶0.1Cr3+蛍光体を封止したLED素子は、100 mA電流駆動下で近赤外光の出力光パワーが約34.5 mW、エネルギー変換効率が約12.3%であった。

关键词

蛍光体;LED;近赤外;Cr3+活性化;アニオン置換

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