摘要
InAs/GaSb Ⅱ型スーパーラティスは中赤外スペクトル領域の光電子デバイスの中核構造であり、そのⅡ型エネルギーバンド配置は電子と正孔を実空間で分離して界面を越えさせ、その非共有原子構造により界面状態が豊富です。Burt-Foreman包絡関数理論に基づき、異なる界面状態がスーパーラティスの電子状態と波動関数に与える調整作用を考察しました。理論計算により、緩やかな界面と界面ポテンシャルという2つの非対称界面状態の分布が重い正孔帯のスピン分裂を引き起こし、軽い正孔帯のスピン分裂は界面ポテンシャルを加えた場合にのみ起こることが示されました。さらに、井戸幅と障壁の変化によるスーパーラティス系のバンドギャップ変化傾向を検討しました。結果は、障壁厚が増加するにつれて急峻な界面と緩やかな界面の2つの界面状態でのバンドギャップ計算結果が徐々に減少し、厚みの増加とともに収束傾向を示す一方、界面ポテンシャル下のバンドギャップ計算結果は障壁厚の増加に伴い増加し、前者2つと逆の傾向を示し、中赤外スーパーラティスデバイスの精密設計に参考となる理論的基盤を提供します。
关键词
アンチモナイド;スーパーラティス;界面状態;前後差分法
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