摘要
埋め込み界面修飾は、ペロブスカイト太陽電池の効率と安定性を効果的に向上させることができます。本研究では、二重（三フェニルホスフィン）コバルト塩化物（BTPPCC）を事前埋め込み界面の表面修飾剤として用いることで、MAPbI3ペロブスカイト薄膜の下表面に集積した欠陥を効果的にパッシベートし、ペロブスカイト薄膜とその下にあるホール輸送層（HTL）との界面接触を最適化し、ペロブスカイト光吸収層の結晶性を向上させました。さらに、BTPPCCは界面の非放射再結合を有効に抑制し、デバイスの長期安定性を改善し、p-i-n型デバイスのエネルギー変換効率（PCE）を18.37％から20.12％に向上させました。封止されていないデバイスは、相対湿度（RH）50％の室温環境下で約500時間連続動作しても、初期効率の76％以上を保持しました。これは、ペロブスカイトの埋め込み界面最適化に有効な方法を提供します。
关键词
ペロブスカイト太陽電池; 埋め込み界面; 欠陥パッシベーション
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