摘要
分離された多重量子井戸電子遮断層（EBL）により、AlGaN基深紫外LED（DUV-LED）デバイスの性能向上が実現された。シミュレーション結果から、従来のバルク型EBLと比較して、分離された多重量子井戸構造のEBLはより高い正孔濃度と放射再結合速度を得ることができることが示された。これは、EBLの中間に挟まれた層が正孔加速領域を形成し、正孔が加速領域でエネルギーを獲得することで正孔注入効率が向上するためである。さらに、多重量子障壁構造は電子障壁を高めることで電子漏れを有効に抑制し、デバイス性能を大幅に向上させる。総じて、多重量子井戸電子遮断層の導入は、AlGaN基DUV-LEDデバイスの性能を著しく向上させることができる。
关键词
AlGaN;深紫外発光ダイオード;電子遮断層
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website