ペロブスカイト材料は、調整可能なバンドギャップ、高い光吸収係数、低い励起子結合エネルギーなどの利点により、半導体の太陽光発電および光電検出分野で優れた成果を挙げています。一般的な鉛系ペロブスカイトはUVから可視光領域に吸収が集中していますが、狭いバンドギャップの純スズ系またはスズ・鉛混合ペロブスカイトは約1060nm以内の近赤外領域に吸収スペクトルが限定されており、将来の複雑な環境での応用および検出イメージングに制限があります。ペロブスカイトと狭バンドギャップ半導体を組み合わせて「ペロブスカイト/半導体」複合ヘテロ接合を構築することで、スペクトル範囲の拡大と吸収効率の向上が可能です。本総説では、ペロブスカイト基広帯域光電検出器における検出性能の最適化、優れた単一材料特性、複合材料の最適設計などの進展をまとめ、広帯域検出器のスペクトル応答、画素統合、柔軟デバイス開発、安定性に関する進展および応用展望を論じます。本総説は、ペロブスカイト基広帯域光電検出研究および将来のイメージング応用の推進に寄与するものです。

ペロブスカイト;赤外光電検出器;広帯域光電検出器;量子ドット;ヘテロ接合