摘要
GaN系多量子井LEDの正孔注入効率を向上させるため、異なる最終バリア層構造を持つGaN系多量子井エピタキシャル構造を設計し、緑色ミニLED発光チップとして作製した。低温電気発光スペクトルおよび電流-電圧特性測定を用いて、キャリア輸送機構を研究した。結果は、AlGaNまたはGaN/AlN最終バリア層を使用した試料において、より多くのキャリアが深い量子井に輸送可能であり、正孔注入効率が向上することを示した。本論文は、この現象におけるキャリア輸送機構およびVピット欠陥の役割を研究し、この向上が主にVピットを介した正孔注入比の増加によることを発見した。実験により、過度なVピット注入比は非放射再結合率を上昇させ、AlGaN最終バリア層試料の電光変換効率を抑制することも明らかとなった。
关键词
発光ダイオード;最終バリア層;正孔注入;InGaN/GaN多量子井;Vピット
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