近年、結合共振器型垂直共振器面発光レーザー（VCSEL）の構造に対する研究の関心が高まっています。この構造では、主共振器に変調電流を印加し、各フィードバック共振器に直流電流を印加することで帯域幅の向上を実現しています。しかし、主共振器単独駆動がデバイス性能に及ぼす影響は十分に研究されていません。結合共振器レーザーをより包括的に理解するために、辺長30 μm×30 μmの正方形横方向結合共振器VCSELを設計・製作し、正方形横方向結合共振器において主共振器単独駆動時のデバイス性能の変化を調査しました。室温下で-3 dB帯域幅は30.1 GHzに達し、非帰還ゼロ変調において、バックツーバック伝送速度40 Gbit/sで明瞭なアイパターンを得、相対強度雑音値は-160 dB/Hzでした。フィードバック共振器は駆動なしでも主共振器性能に正の影響を与えることが確認されました。設計したTCC-VCSELデバイスは電源を一つだけ必要とし、高密度集積に適しており、パッケージ集積応用に新たな展開をもたらします。

垂直共振器面発光レーザー;横方向結合共振器;高速