金属ハライドペロブスカイト材料は優れた光電特性を持つため、発光ダイオードの製造に利用されており、近年注目を集めています。ペロブスカイトの表面およびペロブスカイト/輸送層の界面には多くの欠陥が存在し、デバイスの性能と安定性に大きな影響を与えます。表面および界面の効果的なパッシベーション処理は、界面欠陥の低減とデバイス性能の向上に有効な手段です。本論文では、抽出剤にギ酸グアニジンを添加する表面処理戦略を報告しており、これによりペロブスカイト層の表面欠陥を効果的に減少させ、薄膜形態を改善し、その結果ペロブスカイト薄膜の蛍光量子効率を64%から79%に向上させました。ギ酸グアニジン表面処理を施したペロブスカイト薄膜を用いた発光ダイオードは、最大効率11.66%、最大輝度1285 cd·m^-2を達成し、未処理の参照デバイス（6.69%、689 cd·m^-2）を大きく上回り、さらに優れた安定性を示しました。本研究はペロブスカイト発光ダイオードの性能と安定性を向上させる効果的なペロブスカイト表面処理戦略を提供します。

ペロブスカイト;発光ダイオード;表面処理;準二次元;欠陥パッシベーション