β⁃Ga2O3のp型ドーピング研究進展

HE Junjie ,  

JIAO Shujie ,  

NIE Yiyin ,  

GAO Shiyong ,  

WANG Dongbo ,  

WANG Jinzhong ,  

摘要

β⁃Ga2O3は超広帯域ギャップ、高い破壊電界強度、比較的高いバリガ値などの利点を持ち、高出力電子デバイス、ガスセンサー、可視光に盲な紫外線検出器などにおいて大きな応用可能性を有する新しい半導体材料である。しかし、p型ドーピングの難しさがβ⁃Ga2O3の発展における大きな障害となっている。本論文ではまずβ⁃Ga2O3の利点を簡潔に概説し、その結晶構造と基本特性を紹介する。次にβ⁃Ga2O3の本質欠陥、とくに酸素空孔が導電特性に与える影響を説明する。さらにβ⁃Ga2O3のp型ドーピング研究の現状について、困難の原因、Nドーピング、Mgドーピング、Znドーピング、その他のアクセプター元素ドーピング、二元素共ドーピングおよびその他の方法を詳細に論じる。最後に、β⁃Ga2O3の今後の発展展望をまとめる。

关键词

β-Ga2O3;本質欠陥;p型ドーピング;広帯域半導体;半導体

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