気密封止は電子機器の高信頼性な発展を促進する重要な技術である。従来の気密封止技術は高い溶接温度、熱衝撃の大きさ、適用範囲の狭さといった問題を抱えており、3次元めっきセラミック基板の気密封止要求を満たすことができない。本稿ではパルスレーザー溶接の技術的利点を踏まえ、3次元めっきセラミック基板に対するパルスレーザー溶接による気密封止を研究し、溶接過程におけるパルスレーザーと材料の相互作用モードを重点的に検討し、溶接試料界面の微細形態、気密性、機械的性能を分析した。研究により、溶接金属部の亀裂発生は基材金属銅の除去可能側への拡散と密接に関連していることが示され、安定した溶接過程と溶接熔深の小さい熱伝導モードおよび遷移モードにより溶接亀裂の発生を回避できることが明らかとなった。実験を通じて溶接プロセスパラメータを最適化し、レーザーのピーク出力が120 W、パルス幅が1 ms、重ね率が80%のとき、3次元セラミック基板のキャビティ構造は最良の高気密性を得て、リーク率は5.2×10⁻¹⁰ Pa·m³/s、接合部のせん断強度は278.06 MPaとなり、第3世代半導体デバイスの高信頼性気密封止要求を満たした。

パルスレーザー;溶接モード;気密封止;3次元めっき銅セラミック基板（3-D DPC）