摘要
硫系ガラスは優れた光学特性を有しているため、非線形光学などの分野で広く研究されているが、硫系ガラスを用いた光電検出器に関する研究は少ない。本研究では、真空共蒸発技術を利用して異なる銀添加比率の硫系ガラス薄膜を半導体膜層構造として作製し、金属-絶縁体-半導体構造の自己駆動型光電検出器を設計・構築し、本検出器の応答スペクトル範囲を検討した。結果は、可視光から近赤外領域までの光に対して本検出器が応答することを示した。銀添加硫系ガラス光電検出器の635 nm波長レーザー下における検出器の応答電圧と励起光の関係を調査した。レーザー出力が10 mW未満の場合、検出器の応答電圧は励起光の出力と線形に相関した。レーザー出力が10 mWを超えると、検出器の応答電圧は徐々に飽和した。検出器の立ち上がり時間と減衰時間はそれぞれ3.932秒と1.522秒であった。本研究は、自己駆動型光電検出器分野における硫系ガラス材料の応用可能性を示した。
关键词
硫系ガラス;光電検出器;金属-絶縁体-半導体
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