放射較正係数は半導体レーザーの重要な物理パラメータとして、デバイスの性能解析において重要な役割を果たしてきた。本論文では、放射較正係数を測定する実験的方法を提案し、この方法を用いて980 nm InGaAs/GaAs量子井戸構造の放射特性を研究した。この方法は、InGaAs/GaAs側面放射構造の両側からの光励起発光（PL）スペクトルを収集し、構築した理論式を利用して、異なる注入キャリア濃度における当該構造の放射較正係数を取得した。平均変動範囲は約7.16×10^10〜3.36×10^11 W^-1·eV^-1·s^-1である。最後に、固体モデル理論とキャリア充填規則を用いて結果を解析し、異なる熱平衡状態における非平衡キャリアのエネルギーバンド充填レベルおよび電子と正孔の準フェルミ準位の変化規則を明らかにした。本研究は放射較正係数を測定する新しい方法を提案し、発光材料の放射メカニズムの解明およびレーザーの発展促進において重要な研究価値を有する。

InGaAs/GaAs;放射較正係数;光励起発光スペクトル;エネルギーバンド充填レベル