フッ化水素酸処理InP/GaP/ZnS量子ドットの光学特性および発光ダイオード応用

CHEN Xiaoli ,  

CHEN Peili ,  

LU Si ,  

ZHU Yanqing ,  

XU Xueqing ,  

SU Qiucheng ,  

摘要

フッ化水素酸（HF）のインサイチュー注入法を用いてInP/GaP/ZnS量子ドットを調製した。UV/可視/近赤外スペクトル、光励起発光スペクトル、透過型電子顕微鏡、球差補正透過型電子顕微鏡、X線回折、X線光電子分光などの測定手段を用いて、HFがInP量子ドットの発光特性に及ぼす影響を分析した。実験結果は、HFエッチングにより量子ドットの表面酸化欠陥状態が減少し、InP核表面の酸化が効果的に制御され、原子リガンド形態のF-が量子ドット表面の不対結合をパッシベートして、量子ドットの光学性能を著しく向上させることを示した。HF処理されたInP/GaP/ZnS量子ドットは最高96％のPLQYを持ち、最良の発光性能を示した。さらに、HF処理されたInP/GaP/ZnS量子ドットを用いて作製された発光ダイオードは、6.63 cd/Aの電流効率および3.83％の最高外部量子効率（EQE）を示した。

关键词

HF;InP/GaP/ZnS量子ドット;光学特性;発光ダイオード

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