摘要
针对Micro⁃LED器件微型化带来的尺寸效应、高速巨量转移、发光器件与驱动背板的高精度键合等问题，本文通过金属有机化学气相沉积和原子层沉积技术制备了一种垂直结构的交流驱动无电学接触型GaN基Micro⁃LED器件，研究了其光电特性。结果表明，器件电路模型可等效为RC电路，随着交流驱动信号频率的增大，器件等效阻抗先快速减小后趋于稳定。当频率固定时，器件<I⁃V特性呈线性关系，器件等效阻抗稳定，器件亮度随着驱动电圧増大而強化する。当驱动电圧固定时、器件は16〜22 MHzの周波数範囲内で最大輝度に達し、輝度は周波数の増加に伴い先に上昇し、その後下降する傾向を示す。さらに、回路がキャパシタンス特性を示すため、非電気接触型Micro-LEDデバイスには発光遅延効果および電流先行効果が存在する。従来のMicro-LEDデバイスと比較して、非電気接触型Micro-LEDデバイスは外部電極と電気接触せず、交流駆動条件下で内部キャリアの再結合発光を実現し、Micro-LEDチップの微小化に伴う技術的課題の解決が期待される。
关键词
Micro-LEDデバイス;窒化ガリウム;非電気接触;交流駆動;光電特性
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