磁気スパッタリングおよび金属有機化学気相成長法を用いて、c面サファイア基板上に深紫外Al_0.38Ga_0.62N/Al_0.55Ga_0.45N多重量子井戸構造を成長させ、そのフォトルミネッセンス（PL）スペクトルを測定した。PLスペクトルの励起密度依存性の測定結果は、この量子井戸の放射過程が局在化キャリアの散乱、分極場の遮蔽、局在状態の充填効果を含むことを示し；PLスペクトルの温度依存性の測定結果は、この量子井戸の放射過程が局在化キャリアの緩和、局在化キャリアの熱励起、自由キャリアの通常の熱化効果を含むことを示している。この現象（すなわち複数の放射再結合過程の存在）は、低温かつ弱励起の試験条件下で特に顕著であり、この量子井戸構造が顕著な局所的な深さの不均一性およびキャリアの局在効果を有することを示している。低温領域では、温度の上昇に伴い、この量子井戸の放射過程は浅い局在化キャリアの緩和効果と深い局在化キャリアの熱励起効果の共同作用の結果である。これらの挙動は、井戸幅の揺らぎに起因する局所的な深さの不均一性およびキャリアの局在効果によるものである。

深紫外LED;AlGaN多重量子井戸;フォトルミネッセンス;キャリア局在効果