InGaAs/AlGaAs多重量子井（MQWs）は、III-V族の一般的なエピタキシャル材料であり、半導体レーザーや太陽電池などの分野でよく使用されています。しかし、量子井戸のポテンシャル井戸層と障壁層の成長温度が異なること、インジウム原子の偏析、多重量子井戸の成長品質の低さなどの問題はまだ十分に解決されていません。本稿では、ガリウムヒ素（GaAs）材料を挿入層（ISL）として設計し、InGaAs/AlGaAs MQWs構造に用いました。PL、XRD、AFMの試験結果は、GaAs挿入層がMQWs構造内のより多くの放射再結合を保証し、インジウム原子の偏析を防ぐことを示しました。しかし、GaAs挿入層の導入は、「局所状態」を生成し、量子井戸の発光特性に影響を及ぼします。本研究は、InGaAs/AlGaAs多重量子井戸の放射再結合メカニズムの理解を深め、GaAs挿入層が導入されたInGaAs/AlGaAs多重量子井戸の発光特性の研究に重要な意義を持ちます。

InGaAs/AlGaAs多重量子井戸;局所状態;挿入層;金属有機化学気相成長（MOCVD）